淄博四氟化碳-安徽譜純(在線咨詢)-四氟化碳廠家：

反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產生有毒氟化物。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比)，然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產生有毒氟化物。

四氟化碳是一種鹵代烴，化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳主要用于集成電路、半導體的等離子刻蝕領域，可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產等領域。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。

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